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東莞市源林電子科技有限公司
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    ZnO晶相位于晶粒體內,為低電阻率的半導體,對大電流特性有決定性作用。ZnO半導化的原因主要是氧不足導致的非化學計量比和施主摻雜,有大量的導電電子存在,為n型半導體。富鉍相,約在750℃形成12/14 Bi2O3

    ·Cr2O3 ,溫度低于850℃參與形成焦綠石相,超過850℃后從焦綠石相中分離出來,生成含

    Cr的富鉍相,含有尖晶石相和Zn,隨著溫度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。

    Cr有穩定尖晶石相的作用,高溫冷卻時,可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成,850℃時達到峰值,約950℃時消失,

    反應式如下

    2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3


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    電容量C0

    壓敏電阻在導通前的電阻值很大,可視為電介質材料,兩個電極之間存在著pF級的電容在工頻下,如此之小的電容對被保護電路的正常工作幾乎沒有任何影響,但在高頻或數字線路中,如不考慮壓敏電阻的電容量,有時會造成信號失真或產生諧振。因此生產廠家應向用戶提供壓敏電阻的電容量參考數據(一般以峰值或典型值的方式),以便用戶設計電路時參考。

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